化工業(yè)uv光催化氧化設備UV光催化設備能高效去除揮發(fā)性有機物、硫化氫、氨氣等無(wú)機物類(lèi)污染物，以及各種惡臭味，脫臭效率高，脫臭效果大大優(yōu)于國家頒布的惡臭污染物排放標準。

UV光催化設備無(wú)任何機械裝置，無(wú)運動(dòng)噪音，無(wú)需專(zhuān)人管理和日常維護，只需要作定期檢查維護，維護和能耗成本低，風(fēng)阻極低，可節約大量排風(fēng)動(dòng)力能耗，達到節能的目的。設備結構簡(jiǎn)單，維修保養方便，可以根據處理風(fēng)量進(jìn)行定制；凈化效率高、容塵量大、阻燃、阻力小、使用壽命長(cháng)。

化工業(yè)uv光催化氧化設備采用高強度納米紫外線(xiàn)破壞、分解大分子鏈為小分子鏈，再利用臭氧和羥基自由基氧化、催化劑進(jìn)行催化氧化，使有機物變?yōu)樗投趸?，以達到去除有機物的目的。

UV光解氧催化凈化無(wú)需添加任何物質(zhì)：只需要設置相應的排風(fēng)管道和排風(fēng)動(dòng)力，使氣體通過(guò)本設備進(jìn)行脫臭分解凈化，無(wú)需添加任何物質(zhì)參與化學(xué)反應?？蛇m應高濃度，大氣量，不同有機化學(xué)氣體物質(zhì)的凈化處理，可每天可長(cháng)時(shí)間連續工作，運行穩定可靠。

由于半導體的光吸收閾值與帶隙具有式K=1240/Eg(eV)的關(guān)系,因此常用的寬帶隙半導體的吸收波長(cháng)閾值大都在紫外區域。當光子能量高于半導體吸收閾值的光照射半導體時(shí),半導體的價(jià)帶電子發(fā)生帶間躍遷,即從價(jià)帶躍遷到導帶,從而產(chǎn)生光生電子(e-)和空穴(h+)。此時(shí)吸附在納米顆粒表面的溶解氧俘獲電子形成超氧負離子,而空穴將吸附在催化劑表面的氫氧根離子和水氧化成氫氧自由基。而超氧負離子和氫氧自由基具有很強的氧化性,能將絕大多數的有機物氧化至產(chǎn)物CO2和H2O,甚至對一些無(wú)機物也能   分解。